1分鐘前 江西半導體配套超高潔凈清洗設(shè)備免費咨詢 潤璽[蘇州潤璽f9f1caf]內(nèi)容：為什么零部件需要去除油污:減少部件表面上的離子雜質(zhì)。滿足容器排氣（outgassing)性能的測試 (由第三方實驗室檢測).此測試檢測出了在真空下嵌入金屬表面的有機材料的數(shù)量和成分。如果測試中的數(shù)量太大，則意味著終的加工設(shè)備很難將容器真空至全真空狀態(tài)。815 GD 在這些測試中都有的表現(xiàn)， 主要表現(xiàn)為的清潔能力以及測試中未發(fā)現(xiàn)清洗劑的殘留。

干法清洗主要是采用氣態(tài)的刻蝕不規(guī)則分布的有結(jié)構(gòu)的晶圓二氧化硅層，雖然具有對不同薄膜有高選擇比的優(yōu)點，但可清洗污染物比較單一，目前在 28nm 及以下技術(shù)節(jié)點的邏輯產(chǎn)品和存儲產(chǎn)品有應用。晶圓制造產(chǎn)線上通常以濕法清洗為主，少量特定步驟采用濕法和干法清洗相結(jié)合的方式互補所短，在短期內(nèi)濕法工藝和干法工藝無相互替代的趨勢，目前濕法清洗是主流的清洗技術(shù)路線，占比達芯片制造清洗步驟數(shù)量的 90%。

在濕法清洗工藝路線下，目前主流的清洗設(shè)備主要包括單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、組合式清洗設(shè)備和批式旋轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備等，其中單片清洗設(shè)備市場份額占比高。濕法清洗工藝路線下主流的清洗設(shè)備存在先進程度的區(qū)分，主要體現(xiàn)在可清洗顆粒大小、金屬污染、腐蝕均一性以及干燥技術(shù)等標準。目前至純科技主要生產(chǎn)濕法清洗設(shè)備，提供槽式設(shè)備（槽數(shù)量按需配置）及單片機設(shè)備（8-12 反應腔），均可以覆蓋 8-12 寸晶圓制造的濕法工藝設(shè)備。

隨著半導體芯片工藝技術(shù)節(jié)點進入 28 納米、14 納米等更先進等級，工藝流程的延長且越趨復雜，產(chǎn)線成品率也會隨之下降。造成這種現(xiàn)象的一個原因就是先進制程對雜質(zhì)的敏感度更高，小尺寸污染物的清洗更困難。解決的方法主要是增加清洗步驟。每個晶片在整個制造過程中需要甚至超過 200 道清洗步驟，晶圓清洗變得更加復雜、重要及富有挑戰(zhàn)性。