對圓周方向的電阻值的不均勻依然無法改善。

此外，采用連續(xù)硫化法時，如果硫化時的熱傳遞沒有設(shè)法盡量達到均勻，則擠壓后的硫化速度不一致，這樣可能電阻值的不均勻程度反而大于間歇式硫化法。特別是在圓周方向上這種傾向更顯著。

采用連續(xù)硫化法時，在擠壓機的擠壓筒內(nèi)的半徑方向上有非常大的剪切速度分布，這可能會影響電子導(dǎo)電性填充劑的分散。

在使用電子照相方法的打印技術(shù)中，已經(jīng)漸進實現(xiàn)高速打印操作、高質(zhì)量圖像形成、彩色像形成、以及成像裝置小型化，并且變得很普遍。色粉一直是這些改進的關(guān)鍵。為滿足上述需要，必須形成精細分配的色粉顆粒，使得色粉顆粒的直徑均一，并且使得色粉顆粒呈球形。至于形成精細分配的色粉顆粒的技術(shù)，近已經(jīng)開發(fā)出直徑不超過10nm的色粉和不超過5pm的色粉。至于使色粉呈球形的技術(shù)，已經(jīng)開發(fā)出球形度99%以上的色粉。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。

由于具有獨特的物理化學(xué)性能，當(dāng)代科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，將會越來越多的應(yīng)用于國民經(jīng)濟中的航空、航天、航海、火箭、原子能、微電子技術(shù)等高科技領(lǐng)域及石油化工、化學(xué)工業(yè)、汽車尾氣凈化等與人類生活息息相關(guān)的領(lǐng)域，并在眾多的應(yīng)用領(lǐng)域中起著關(guān)鍵的的作用，因此被譽為“首要高技術(shù)金屬”、“現(xiàn)代工業(yè)的維生素”“現(xiàn)代新金屬”，發(fā)達的國家長期以來一直把視為“戰(zhàn)略性物質(zhì)”。如今開發(fā)出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)，TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0。

濺射靶材ITO靶材的生產(chǎn)工藝ITO靶材的生產(chǎn)工藝可以分為3種：熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結(jié)法。各種生產(chǎn)工藝及其特點簡介如下：

熱等靜壓法：ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預(yù)先成形的胚體，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結(jié)。熱等靜壓工藝制造產(chǎn)品密度高、物理機械性能好，但設(shè)備投入高，生產(chǎn)成本高，產(chǎn)品的缺氧率高。王水在溶解了貴金屬的溶液中有大量的殘余和硝基物的存在給后續(xù)提煉或精煉貴金屬帶來操作困難或失敗，嚴(yán)重影響貴金屬的提煉或精煉工藝順利進行，嚴(yán)重影響貴金屬回收率，故王水貴金屬溶液的濃縮趕硝是緊隨溶解其后的務(wù)必工序。