IGBT作為目前主流的電力半導(dǎo)體開關(guān)器件，已廣泛應(yīng)用于電力電子相關(guān)行業(yè)，一臺(tái)輕巧便攜的測(cè)試儀就顯得尤為重要。便攜式IGBT測(cè)試儀，是一種全新的功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀器，可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試。儀器與配套電腦連接使用，通過(guò)友好人機(jī)界面操作，便于各測(cè)試參數(shù)的組合、數(shù)據(jù)結(jié)果以表格形式呈現(xiàn)，具有使用便捷、測(cè)試精度高等優(yōu)點(diǎn)，適合于各測(cè)試器件使用現(xiàn)場(chǎng)及產(chǎn)線維護(hù)場(chǎng)合使用。

測(cè)試范圍

柵極 發(fā)射極	Vges：1-40V 分辨率0.1VIges：0.1-10uA 分辨率0.01uA Vce：0V
集電極 發(fā)射極	Vces：100-2000V 分辨率10V Ices：100uA-5mA 分辨率10uA
柵極發(fā)射極閾值電壓	Vge(th)：1-10V 分辨率 0.1V
集電極/發(fā)射極 飽和電壓	Vce(sat)：0.2-5V 分辨率0.01V Ice：10-500A 分辨率1A
二極管 壓降	VF：0.01-5V 分辨率0.01V; IF：1-500A 分辨率1A Vge：0V; Vces：100V
二極管反向大可恢復(fù)直流電壓	Vces：100-2000V 分辨率10VIces：100uA-5mA 分辨率10uA